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比鹽粒還小晶體! 村田公司研發(fā)出世界最小32.768KHz MEMS晶體

文章出處:http://www.wukongman.cn/責(zé)任編輯:加科晶體電子人氣:-發(fā)表時(shí)間:2018-11-27 15:17【

 物聯(lián)網(wǎng)(IOT)的設(shè)備生態(tài)系統(tǒng)正以前所未有的速度發(fā)展,在現(xiàn)實(shí)世界中的對(duì)象、系統(tǒng)和人之間建立聯(lián)系,以及設(shè)計(jì)用于連接用戶、其他設(shè)備甚至制造商的產(chǎn)品。您可以坐在舒適的沙發(fā)上,使用語音控制命令來切換燈或調(diào)暗燈而不移動(dòng)半步。通過簡(jiǎn)單直觀的移動(dòng)應(yīng)用程序來控制物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,您可以與智能可穿戴設(shè)備、門鎖、恒溫器、娛樂設(shè)備通信。對(duì)于消費(fèi)者來說,物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備看起來很時(shí)尚和簡(jiǎn)單。但是它們實(shí)際上包含了一組非常不同的電子元器件,因此,構(gòu)成電子設(shè)備的電子元件需要更小更省電。尤其是晶體在眾多電子元器件中,為了連續(xù)工作,使設(shè)備能夠正常工作,對(duì)低功率諧振器的需求更為迫切。

村田晶振公司的MEMS諧振器利用壓電現(xiàn)象通過機(jī)械共振產(chǎn)生一定的頻率。利用MEMS技術(shù),實(shí)現(xiàn)了晶體諧振器無法達(dá)到的超小尺寸、低ESR特性的產(chǎn)品。在不補(bǔ)償由有源元件產(chǎn)生的初始精度和溫度特性的情況下,諧振器能夠?qū)崿F(xiàn)良好的頻率精度和溫度特性,有助于用戶低功耗和降低實(shí)際面積。它最適合醫(yī)療貼片設(shè)備、智能卡、具有通信功能的模塊、可穿戴設(shè)備、無線耳機(jī)和其他小型低背設(shè)備、微型計(jì)算機(jī)和嵌入IC場(chǎng)合的時(shí)鐘組件。

品名:WMRAG32K76CS1C00R0

LxW
尺寸
(mm)
負(fù)載電容量
頻率
容許偏差
頻率
溫度特性
頻率
老化
等效串聯(lián)
電阻
驅(qū)動(dòng)電平
工作溫度范圍
用途
0.9x0.6
8
pF
±20ppm
-150/
+10ppm
±3ppm
以內(nèi)/年
75kΩ
以內(nèi)
0.2μW
以內(nèi)
-30~85℃
消費(fèi)用

MEMS 諧振器的3大特征

  • 節(jié)省空間化 

本產(chǎn)品是內(nèi)置了在振蕩電路中所需的負(fù)載電容量的超小型芯片尺寸封裝(CSP)。因此,可節(jié)省整體振蕩電路的空間,為最終的小型化做貢獻(xiàn)。

此外,也可在空出來的空間中追加大電流或者其他功能。

  • 可內(nèi)置 

通過使用了硅材料的WLCSP,跟同樣材料的半導(dǎo)體IC貼片兼容性更高,因此可內(nèi)置在IC中。

也可對(duì)應(yīng)Transfer Mold和Wire Bonding。 


 

  • 低功耗

由于其低ESR的特性,可降低IC增益。

因此,可抑制振蕩電路的消耗電流,實(shí)現(xiàn)整個(gè)設(shè)備的低功耗。

MEMS主要特點(diǎn):

利用微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù),實(shí)現(xiàn)了小型化,獲得了與晶體諧振器相同的初始頻率精度(+20ppm)的頻率-溫度特性(低于160ppm)。(工作環(huán)境:- 30+ 85 C)


主要特點(diǎn)如下。

比傳統(tǒng)產(chǎn)品縮小50%以上

產(chǎn)品尺寸為0.9 x 0.6 x 0.3mm(寬 x 長(zhǎng) x 高),比傳統(tǒng)的32.768k kHz晶體諧振器更小了50% 以上*5。

器件內(nèi)置靜電電容

生成基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào)的電路需要2個(gè)多層陶瓷電容,而本研發(fā)品已內(nèi)置6.9pF靜電電容。由此貼裝時(shí)能大幅減少空間,使電路設(shè)計(jì)的自由度更大。

通過實(shí)現(xiàn)低ESR降低功耗

普通晶體諧振器存在尺寸越小ESR越高的有待解決課題,而本研發(fā)品通過低ESR(75kΩ)化,降低了半導(dǎo)體集成電路的增益,從而生成穩(wěn)定的基準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào),實(shí)現(xiàn)低功耗(比傳統(tǒng)產(chǎn)品減少13%)。(根據(jù)本公司測(cè)定結(jié)果) 

能內(nèi)置于半導(dǎo)體集成電路的封裝內(nèi)

通過使用硅材料的WL-CSP(Wafer-Level Chip Scale Packaging)封裝,能內(nèi)置于同質(zhì)半導(dǎo)體集成電路進(jìn)行封裝。

此文關(guān)鍵字:村田晶振 晶體 32.768KHz晶體
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